晶粒的切割一直半導體業界非常重要的製程,晶粒歷經繁複的
製程後,如果在晶粒分離的階段無法維持高良率或因晶粒分離方法
影響晶粒原有的特性,亦或切割的速度過慢造成成本過高,對整個
晶粒的生產會造成相當嚴重的影響。
傳統晶粒的切割(Dicing Saw, Diamond Scribe...)已算是相當成熟
的技術,但隨著晶粒尺寸的縮小,一些新的基板的採用 ,以及複合
材料堆疊的製程設計,使得傳統的切割技術已經遭遇到許多瓶頸。
再者,如一些微機電(MEMS) 的晶片因含可動元件或脆弱的薄膜
結構,使得傳統的切割技術一直無法成功的應用在微機電晶片的切
割上。
旭丞光電歷經數年的開發,目前已成功的利用紫外光雷射強大
的加工能力搭配機械裂片技術而發展出一套完整的晶圓雷射切割裂
片(Scribe&Break)製程 。紫外光雷射由於具有線寬小(~10um)
,熱效應低的特性,再加上各種材質均可切割,因此可成為下一世
代切割技術的新選擇。利用精細的紫外光雷射在硬脆材料的晶圓上
沿著切割道劃出高深寬比的切割線,再利用機械裂片的方式將晶粒
分開,整個製程可與目前半導體業界之晶粒切割製程相容,且由於
過程中僅以極小線寬切割足供裂片深度之切割線,晶片之污染可降
至最低,且過程中完全不使用水之類的冷卻劑,是完全乾式的切割
製程。
以下僅就目前已成功驗證的雷射晶粒切割製程作一簡介,若您
有相類似的需求,或是其他晶粒切割需求,請與我們的業務人員聯
絡,謝謝。
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