漢磊之磊晶代工服務係台灣最大磊晶供應商, 我們使用最卓越之生產平台於製程開發及製造服務, 俾便對我們的客戶提供寬廣系列之製程能力.支援各種元件之應用, 包含互補式金氧半場效積體電路(CMOS)、雙載子互補式金氧半場效積體電路(BiCMOS), 功率金氧半場效電晶體等元件(POWER MOSFET Device )及分離式元件(Discrete Device).

晶圓尺寸  4”, 5”, 6”, 8”

磊晶層掺雜氣體  二硼烷, 三氫化砷, 磷化氫

磊晶架構

單層 : N/N, P/P, P/N…. 多層 : N/N/N, N/N/P, N/P/P, P/P/P, P/P/N, P/N/N, N/P/N… 埋藏層 : N/BL/P, P/BL/P…

磊晶反應爐類型

Gemini Ⅱ Gemini Ⅲ Toshiba GX ASM Epsilon 2000 AMAT Centura

磊晶能力

單晶片式反應爐 批次式反應爐 厚度範圍 1.0 um ～ 20 um 1.0 um～200 um 阻值範圍 0.15 ohm-cm～150 ohm-cm 0.15 ohm-cm～200 ohm-cm