半導體設備 零件(4)
實驗用小型電漿系統設備
電漿輔助化學氣相沉積 Model: PECVD-Clip Series Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
規格:
一.綜合說明: 腔體上蓋板上掀式設計,手動放置晶片,無Load Lock。
晶片尺寸: 8〞或8〞以下。
二.電漿源 RF Generator 13.56MHz, 600W自動匹配器。
三.機台尺寸 寬800x深1060x高1900mm
規格可依客戶需求調整