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氮化鋁陶瓷散熱基板
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 氮化鋁(AlN)有兩個非常重要的性能值得注意:一個是高的熱導率,一個是與Si相匹配的膨脹係數因具有優良的熱傳導性,可靠的電絕緣性,低的介電常數和介電損耗是新一代大型積體電路、半導體模組電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。

目前高功率LED黏著基板大致有矽基板與陶瓷基板,陶瓷基板又分為氧化鋁基板與氮化鋁基板,其中氮化鋁基本的散熱效益是矽基板的1.4倍,更為氧化鋁基板的7倍之多。因此氮化鋁基板應用於高功率LED的散熱效益顯著,進而大幅提升LED的使用壽命。相較於矽基板,氮化鋁基板可提升LED壽命3,000~4,000小時;與氧化鋁基板相較,更可高出6,000~7,000小時以上。
本公司氮化鋁陶瓷產品具有優良的導熱性(為氧化鋁陶瓷的5-10倍),較低的介電常數和介質損耗,可靠的絕緣性能,優良的力學性能,無毒,耐高溫,耐化學腐蝕,且與矽的熱膨脹係數相近,廣泛應用於通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業。


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